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型号： FGH60N60SMD
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH60N60SMD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH60N60SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH60N60SMD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Field Stop 600V 120A 600W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH60N60SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGH60N60SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FGH60N60SMD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET 晶体管，属于 UGBT（超结功率 MOSFET）系列。其主要应用场景包括但不限于以下领域：

1. 开关电源（SMPS）：  
   FGH60N60SMD 适用于各种开关电源设计，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。其高电压耐受能力（600V）和低导通电阻（典型值为 0.25Ω）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于驱动中小功率电机，例如家用电器中的风扇、水泵或小型工业设备中的电机控制。其快速开关特性和低损耗特性有助于实现高效能的电机驱动系统。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，FGH60N60SMD 可作为关键的功率开关元件，用于将直流电转换为交流电。其出色的热性能和可靠性确保了系统的稳定运行。

4. 不间断电源（UPS）：  
   该 MOSFET 可广泛应用于 UPS 系统中，用于电池充放电管理以及输出电压调节。其高耐压能力和快速响应速度非常适合应对突发负载变化。

5. PFC（功率因数校正）电路：  
   在需要功率因数校正的应用中，FGH60N60SMD 可用作主开关器件，帮助提高输入功率因数并减少谐波失真。

6. 电动车及电动工具：  
   此款 MOSFET 还可以应用于电动车控制器、电动工具驱动等领域，提供高效且可靠的功率控制解决方案。

综上所述，FGH60N60SMD 凭借其优异的电气特性和稳定性，特别适合于高效率、高可靠性的功率转换与控制场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	18ns/104ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	180A
描述	IGBT 600V 120A 600W TO247IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	189nC
IGBT类型	场截止
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH60N60SMD-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FGH60N60SMD
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
SwitchingEnergy	1.26mJ （开）， 450µJ （关）
TestCondition	400V, 60A, 3 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.5V @ 15V，60A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-247-3
功率-最大值	600W
功率耗散	600 W
包装	管件
单位重量	6.390 g
反向恢复时间(trr)	39ns
商标	Fairchild Semiconductor
在25C的连续集电极电流	120 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247
工厂包装数量	150
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	20 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
标准包装	30
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	120A
系列	FGH60N60
输入类型	标准
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.9 V