Datasheet下载- 型号： HGT1S20N60A4S9A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N60A4S9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N60A4S9A价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S20N60A4S9A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S20N60A4S9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S20N60A4S9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S20N60A4S9A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单管MOSFET器件，属于功率晶体管中的IGBT/MOSFET类别。该器件主要应用于需要高效能功率转换和控制的场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源供应器：用于开关电源（SMPS）中，实现高效的直流-交流或直流-直流转换，适用于工业电源、服务器电源等。 2. 马达驱动：在变频器或电机控制系统中作为功率开关，广泛用于家电（如空调、洗衣机）、工业自动化设备中。 3. 照明系统：用于LED照明或高强度气体放电灯（HID）镇流器中的高频开关应用。 4. 消费类电子产品：如高功率充电器、逆变器等，满足对效率与体积要求较高的设计需求。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中，用作能量转换的关键元件。 该器件具备高耐压（600V）、低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，适合于中高功率应用场合，同时采用符合RoHS标准的封装，便于表面贴装，提升了制造效率和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 15ns/73ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 280A |
| 描述 | IGBT 600V 70A 290W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 142nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGT1S20N60A4S9A |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 105µJ （开）， 150µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 20A, 3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 290W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70A |
| 输入类型 | 标准 |
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