Datasheet下载- 型号： STGF10H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF10H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF10H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGF10H60DF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGF10H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGF10H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STGF10H60DF的晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体分类为超高压沟槽栅MOSFET（UGBT）。该器件适用于多种高电压、高效率的电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STGF10H60DF适合用于开关电源中的高频开关应用。其650V的击穿电压和低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够在高电压环境下高效工作，同时减少功率损耗。 2. 逆变器与变频器 在工业控制领域，该MOSFET可用于逆变器和变频器中，以驱动电机或其他负载。其快速开关特性和高耐压能力有助于提高系统的效率和可靠性。 3. 太阳能逆变器 该器件适用于太阳能光伏发电系统中的DC-AC转换部分。其高电压承受能力和低损耗特性能够提升能量转换效率，支持绿色能源的应用。 4. 电动工具与家电驱动 在电动工具和家用电器（如空调、洗衣机等）中，STGF10H60DF可以作为主驱动电路的一部分，提供高效的功率转换和稳定的性能表现。 5. 电动车充电器 随着电动车市场的增长，该MOSFET可应用于电动车充电器中，满足高电压输入和输出的需求，同时保持较高的转换效率。 6. LED驱动器 在高功率LED照明系统中，该器件可以用作开关元件，实现精确的电流控制和高效的功率管理。 7. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，STGF10H60DF可用于电池充放电管理和逆变电路，确保在断电情况下提供稳定的备用电源。 总结来说，STGF10H60DF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高电压、高效率和快速开关的场景中，是现代电力电子设备的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 19.5ns/103ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 600V 20A 30W TO220FPIGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 57nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF10H60DF- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGF10H60DF |
| SwitchingEnergy | 83µJ （开）， 140µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 10A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.95V @ 15V， 10A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14275-5 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 功率耗散 | 30 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 107ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | STGF10H60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 10 A |
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