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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH28N60B3D1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH28N60B3D1价格参考。IXYSIXGH28N60B3D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH28N60B3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH28N60B3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGH28N60B3D1是一款晶体管,具体为超快沟道MOSFET(UGBT系列),其主要参数和应用场景如下: 基本参数: - 电压等级:600V,适用于高压环境。 - 电流能力:28A,适合中高功率应用。 - 封装形式:TO-247-3,便于散热和安装。 - 特性:低导通电阻(Rds(on)),快速开关速度,低开关损耗。 应用场景: 1. 工业电源 该MOSFET可用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)以及逆变器等工业电源设备中。其高压特性和快速开关能力使其非常适合高频开关应用。 2. 电机驱动 在电机控制领域,IXGH28N60B3D1可用于驱动中小型电机,尤其是在需要高效能和快速响应的场合,如伺服电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。 3. 太阳能逆变器 作为太阳能发电系统的一部分,这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中,确保高效的能量转换和较低的热损耗。 4. 不间断电源(UPS) 在UPS系统中,IXGH28N60B3D1可作为开关元件,用于电池充电电路和逆变输出电路,提供稳定的电力供应。 5. 电动车及电动工具 由于其高压和大电流特性,该器件适合电动车控制器、电动自行车以及电动工具中的功率管理模块。 6. 焊接设备 在焊接机中,这款MOSFET可用于控制焊接电流的输出,确保焊接过程的稳定性和精确性。 7. 其他高压应用 包括电磁炉、家用电器中的功率转换模块,以及需要高性能功率开关的定制化电子设备。 总结来说,IXGH28N60B3D1凭借其高电压、大电流和快速开关特性,广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的场景中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 19ns/125ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 600V 66A 190W TO247ADIGBT 晶体管 28 Amps 600V |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 62nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGH28N60B3D1PolarHV™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXGH28N60B3D1 |
SwitchingEnergy | 340µJ (开), 650µJ (关) |
TestCondition | 400V,24A,10 欧姆,15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,24A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
功率-最大值 | 190W |
功率耗散 | 190 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
反向恢复时间(trr) | 25ns |
商标 | IXYS |
在25C的连续集电极电流 | 66 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 66A |
系列 | IXGH28N60 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
集电极最大连续电流Ic | 150 A |