Datasheet下载- 型号： NGD8201NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD8201NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD8201NT4G价格参考。ON SemiconductorNGD8201NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGD8201NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD8201NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGD8201NT4G的器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，常用于高效率电源转换系统。该器件采用双MOSFET结构，具备低导通电阻和高功率密度，适用于需要高效能与小型化设计的场景。 NGD8201NT4G主要应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中，尤其适合用于提高电源转换效率并减少发热。其封装形式为TSOP，适合表面贴装，广泛用于通信设备、服务器电源、工业控制系统及消费类电子产品中的电源管理模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD8201NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD8201NT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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