ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > HGTP10N120BN
Datasheet下载- 型号： HGTP10N120BN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP10N120BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP10N120BN价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP10N120BN封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB。您可以下载HGTP10N120BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP10N120BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 23ns/165ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP10N120BN |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 320µJ （开）， 800µJ （关） |
| TestCondition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HGTP10N120BN-ND |
| 功率-最大值 | 298W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35A |
| 输入类型 | 标准 |
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