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Datasheet下载- 型号： STGW20NC60V
- 制造商： STMicroelectronics
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STGW20NC60V产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW20NC60V由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW20NC60V价格参考。STMicroelectronicsSTGW20NC60V封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW20NC60V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW20NC60V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的型号为 STGW20NC60V 的器件属于 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），其分类为“晶体管 - IGBT，MOSFET - 单”。该器件广泛应用于需要高效能功率转换的场合。 主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：适用于变频器、伺服驱动器等设备中，用于控制交流电机的速度和转矩。 2. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器，用于提高能量转换效率。 3. 可再生能源系统：例如太阳能逆变器中，将直流电转换为交流电并馈入电网。 4. 家电控制：如电磁炉、空调压缩机等高功率家电中的功率控制模块。 5. 电动汽车相关应用：如车载充电器、DC-DC转换器等电力电子系统中。 该IGBT具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在中高功率应用场景中使用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 31ns/100ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 200W TO247IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW20NC60VPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW20NC60V |
| SwitchingEnergy | 220µJ （开）， 330µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 20A, 3.3 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-4356-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF70584?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 600 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | STGW20NC60V |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
