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  • 型号: IXXH30N65B4
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXXH30N65B4由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXH30N65B4价格参考¥13.59-¥13.59。IXYSIXXH30N65B4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXXH30N65B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXXH30N65B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

32ns/170ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

146A

描述

IGBT 650V 65A 230W TO247ADIGBT 晶体管 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

52nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXH30N65B4GenX4™, XPT™

数据手册

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产品型号

IXXH30N65B4

SwitchingEnergy

1.55mJ (开), 480µJ (关)

TestCondition

400V, 30A, 15 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2V @ 15V,30A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247 (IXXH)

功率-最大值

230W

功率耗散

230 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

IXYS

商标名

XPT

在25C的连续集电极电流

65 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AD-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

65A

系列

IXXH30N65

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

1.66 V

集电极最大连续电流Ic

30 A

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