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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IXXH30N65B4
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXXH30N65B4由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXXH30N65B4价格参考￥13.59-￥13.59。IXYSIXXH30N65B4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXXH30N65B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXXH30N65B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXXH30N65B4是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管类别。它具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于需要高效能功率转换的场合。 该器件主要适用于以下几种典型应用场景： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动系统：在无刷直流电机（BLDC）或伺服电机控制中作为功率开关元件，支持高频PWM调速与精确控制。 3. 逆变器系统：包括光伏逆变器、UPS不间断电源及工业变频器，用于将直流电转换为交流电输出。 4. 电动车相关应用：如车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率控制单元。 5. 工业自动化设备：在各类工业控制系统中实现高速开关控制与负载调节。 总之，IXXH30N65B4凭借其优良性能，适合用于对效率、可靠性及空间布局有较高要求的中高功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 32ns/170ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 146A |
| 描述 | IGBT 650V 65A 230W TO247ADIGBT 晶体管 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 52nC |
| IGBT类型 | PT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXXH30N65B4GenX4™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXXH30N65B4 |
| SwitchingEnergy | 1.55mJ （开）， 480µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 30A， 15 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXXH） |
| 功率-最大值 | 230W |
| 功率耗散 | 230 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 65 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 65A |
| 系列 | IXXH30N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.66 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 30 A |
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