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  • 型号: RJH60M3DPP-M0#T2
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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RJH60M3DPP-M0#T2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60M3DPP-M0#T2由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60M3DPP-M0#T2价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60M3DPP-M0#T2封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 600V 35A 39.7W Through Hole TO-220FL。您可以下载RJH60M3DPP-M0#T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RJH60M3DPP-M0#T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

38ns/90ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

-

描述

IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

60nC

IGBT类型

沟道

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

RJH60M3DPP-M0#T2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

290µJ (开), 290µJ (关)

TestCondition

300V, 17A, 5 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,17A

供应商器件封装

TO-220FL

其它名称

RJH60M3DPPM0T2

功率-最大值

39.7W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

90ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

100

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

35A

输入类型

标准

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