Datasheet下载- 型号： IXGX32N170AH1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGX32N170AH1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGX32N170AH1价格参考。IXYSIXGX32N170AH1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXGX32N170AH1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGX32N170AH1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGX32N170AH1是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET（UGBT）系列。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) IXGX32N170AH1适用于高效率、高功率密度的开关电源设计，例如AC-DC转换器和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性能够减少能量损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动 该器件可用于工业自动化中的电机控制，如变频器、伺服驱动器等。其高电压耐受能力（1700V）使其适合高压电机应用，同时快速开关速度有助于实现精确的PWM控制。 3. 太阳能逆变器 在光伏系统中，IXGX32N170AH1可作为关键组件用于DC-AC逆变器电路。其高耐压特性和高效性能确保了在高压环境下的稳定运行，并能有效降低热损耗。 4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 该型号适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及牵引逆变器等电力电子模块。其高压和高效特性非常适合电动车对可靠性和效率的要求。 5. 不间断电源 (UPS) 在UPS系统中，IXGX32N170AH1可用于电池充放电管理及逆变输出部分。其优异的动态响应能力和低功耗特点有助于提升系统的可靠性和续航时间。 6. 工业焊接设备 此类高压MOSFET也广泛应用于焊接机中，用于控制高频电流输出。其坚固耐用的设计可以承受极端工作条件，保证长时间稳定运行。 总结来说，IXGX32N170AH1凭借其1700V的额定电压、低导通电阻以及优秀的开关性能，特别适合需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 27ns/270ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 110A |
| 描述 | IGBT 1700V 32A 350W PLUS247IGBT 晶体管 24 Amps 1700V 5 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 157nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGX32N170AH1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGX32N170AH1 |
| SwitchingEnergy | 4.1mJ （开）， 1.25mJ （关） |
| TestCondition | 850V， 32A， 2.7 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 5V @ 15V，21A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 功率耗散 | 350 W |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 150ns |
| 商标 | IXYS |
| 在25C的连续集电极电流 | 32 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 32A |
| 系列 | IXGX32N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 4 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 110 A |
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