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  • 型号: IXGX32N170AH1
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGX32N170AH1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGX32N170AH1价格参考。IXYSIXGX32N170AH1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGX32N170AH1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGX32N170AH1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

27ns/270ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

110A

描述

IGBT 1700V 32A 350W PLUS247IGBT 晶体管 24 Amps 1700V 5 Rds

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

157nC

IGBT类型

NPT

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGX32N170AH1-

数据手册

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产品型号

IXGX32N170AH1

SwitchingEnergy

4.1mJ (开), 1.25mJ (关)

TestCondition

850V, 32A, 2.7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

5V @ 15V,21A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PLUS247™-3

功率-最大值

350W

功率耗散

350 W

包装

散装

反向恢复时间(trr)

150ns

商标

IXYS

在25C的连续集电极电流

32 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

PLUS 247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1700V

电流-集电极(Ic)(最大值)

32A

系列

IXGX32N170

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.7 kV

集电极—射极饱和电压

4 V

集电极最大连续电流Ic

110 A

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