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IRG4PF50WDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PF50WDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PF50WDPBF价格参考¥39.74-¥46.13。International RectifierIRG4PF50WDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRG4PF50WDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PF50WDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRG4PF50WDPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(统一栅极双极晶体管)、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - IRG4PF50WDPBF适用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,用于高效能的电压转换和调节。 - 在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块中,提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 用于小型电机驱动电路,例如家用电器(风扇、水泵)或工业自动化中的伺服电机控制。 - 其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动效率并减少能耗。 3. 逆变器与太阳能系统 - 在微型逆变器中用作开关元件,将直流电转换为交流电。 - 适合小型太阳能发电系统的电力转换,确保能量传输的高效性。 4. 消费电子设备 - 应用于电视、显示器、音响设备等消费电子产品中的电源管理和信号切换。 - 提供稳定的电流输出和快速响应能力,满足现代电子设备的需求。 5. 汽车电子 - 在车载电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器等需要低功耗和高可靠性的场合。 - 支持汽车照明系统(LED灯驱动)以及电池管理系统中的电流控制。 6. 通信设备 - 用于基站、路由器等通信设备中的电源模块,确保设备在不同负载条件下的稳定运行。 特性优势 - 低导通电阻:降低功率损耗,提升系统效率。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。 - 高可靠性:能够在恶劣环境下长时间工作,满足工业和汽车级要求。 总之,IRG4PF50WDPBF凭借其高性能参数和稳定性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 71ns/150ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 204A |
描述 | IGBT 900V 51A 200W TO247ACIGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 160nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PF50WDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4PF50WDPBF |
SwitchingEnergy | 2.63mJ (开), 1.34mJ (关) |
TestCondition | 720V, 28A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,28A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRG4PF50WDPBF |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 90ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 51 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 AC |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 900V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 51A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 900 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.25 V |
集电极最大连续电流Ic | 51 A |