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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体制造商,其产品广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制等领域。 型号 IKD06N60R 是一款由英飞凌推出的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管MOSFET。它具有600V的漏源击穿电压和较低的导通电阻,适用于高效率、高频开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器(SMPS):用于开关电源中,实现高效的AC/DC或DC/DC转换,广泛应用于工业电源、服务器电源和通信设备电源中。 2. 电机驱动:适用于中小型电机控制,如电动工具、风机、泵类设备的驱动电路。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电源,支持高效率和高稳定性的电源设计。 4. 家电控制:如变频空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中的功率控制模块。 5. 工业自动化:用于PLC、变频器、伺服驱动器等自动化设备中,实现对电机或执行机构的高效控制。 该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力,适合在中高功率密度设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 12ns/127ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 18A |
| 描述 | IGBT 600V 12A 100W TO252-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 48nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IK06N60R_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304325afd6e0012632554052647f |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IKD06N60R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchStop® |
| SwitchingEnergy | 330µJ |
| TestCondition | 400V, 6A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,6A |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IKD06N60RINDKR |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 68ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 12A |
| 输入类型 | 标准 |