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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的型号NGTB15N135IHRWG是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结沟槽MOSFET)类别,具有以下应用场景: 1. 电源管理 - 该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(1350V)使其适合高压环境下的高效能量转换。 - 可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电机驱动中的功率级控制。 2. 工业自动化 - 在工业设备中,这款MOSFET可用于控制高压电机或电磁阀的开关操作。例如,在工厂自动化系统中,它可以用作固态继电器的替代品,实现快速、可靠的负载切换。 - 高压特性和低损耗使其非常适合机器人驱动器和伺服控制系统。 3. 汽车电子 - NGTB15N135IHRWG可用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的高压应用,如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及牵引逆变器。 - 其高可靠性设计满足汽车行业对耐用性和稳定性的严格要求。 4. 照明系统 - 在高压LED照明应用中,这款MOSFET可以作为驱动电路的一部分,用于调节电流并提高效率。 - 它还适用于气体放电灯(如HID灯)的镇流器电路。 5. 家用电器 - 在家用电器中,该MOSFET可用于空调压缩机、洗衣机电机驱动以及电磁炉等需要高压开关的应用场景。 - 其紧凑的封装形式(如TO-247-3)便于集成到小型化设计中。 6. 通信基础设施 - 在基站电源、电信设备和其他通信基础设施中,这款MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。 总结来说,NGTB15N135IHRWG凭借其高压能力、低导通电阻和高能效特性,广泛应用于需要高性能功率开关的领域,包括工业、汽车、消费电子和通信等行业。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | -/170ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 1350V 15A TO247-3 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 156nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NGTB15N135IHRWG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 420µJ (关) |
TestCondition | 600V, 15A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.65V @ 15V, 15A |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 357W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1350V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
输入类型 | 标准 |