【未分类_SGS10N60RUFDTU】封装/厂家_SGS10N60RUFDTU中文资料_价格

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型号： SGS10N60RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SGS10N60RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGS10N60RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGS10N60RUFDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SGS10N60RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGS10N60RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的SGS10N60RUFDTU是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结功率MOSFET（Ultra Junction MOSFET，简称UGBT）。这种器件因其高效率、低导通电阻和快速开关特性而被广泛应用于多种电力电子场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - SGS10N60RUFDTU适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。
   - 其高电压耐受能力（600V）使其适合高压输入的应用，例如适配器、充电器和工业电源。
   - 快速开关特性和低栅极电荷有助于提高效率并降低开关损耗。

 2. 电机驱动
   - 用于无刷直流电机（BLDC）或其他类型的电机驱动电路中。
   - 高效的开关性能和低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，从而提升电机运行效率。
   - 适用于家电、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。

 3. 太阳能逆变器
   - 在太阳能发电系统中，该MOSFET可用于DC-AC逆变器的功率级电路。
   - 其高效率和热性能有助于实现更高的能量转换效率，同时保持较低的工作温度。

 4. 不间断电源 (UPS)
   - 在UPS系统中，这款MOSFET可以用作功率开关，支持高效的能量存储和释放。
   - 适用于备用电源和在线式UPS的设计。

 5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)
   - 可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源模块中。
   - 高压和高效特性使其适合汽车电气系统的严苛要求。

 6. PFC电路（功率因数校正）
   - 在功率因数校正电路中，SGS10N60RUFDTU可作为主开关使用，帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。

 7. LED驱动器
   - 用于大功率LED照明系统中，提供高效且稳定的电流调节。
   - 其低导通电阻有助于减少热量产生，延长系统寿命。

 总结
SGS10N60RUFDTU凭借其600V的击穿电压、低导通电阻（典型值为0.1Ω）和快速开关速度，在需要高效功率转换和高可靠性的应用中表现出色。它特别适合于高频开关环境下的电力电子设备设计，能够显著降低能耗并提高系统性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	15ns/36ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	30A
描述	IGBT 600V 16A 55W TO220FIGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	30nC
IGBT类型	-
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor SGS10N60RUFDTU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SGS10N60RUFDTU
SwitchingEnergy	141µJ （开）， 215µJ （关）
TestCondition	300V, 10A, 20 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.8V @ 15V，10A
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	55W
功率耗散	55 W
包装	管件
单位重量	2.270 g
反向恢复时间(trr)	60ns
商标	Fairchild Semiconductor
在25C的连续集电极电流	16 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220-3 FP
工厂包装数量	50
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	+/- 100 nA
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	16A
系列	SGS10N60
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.2 V
集电极最大连续电流Ic	16 A
零件号别名	SGS10N60RUFDTU_NL