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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG12N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG12N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG12N60A4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTG12N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG12N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTG12N60A4 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压功率 MOSFET,属于 UGBT 系列中的单通道 MOSFET。该器件采用 N 沟道技术,具有 600V 的高击穿电压,适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - HGTG12N60A4 常用于开关电源的主开关管或同步整流管。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性能够提高效率,降低功耗。 - 适合 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等应用。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。例如: - 家用电器(如风扇、洗衣机、空调压缩机) - 工业设备(如伺服电机、步进电机) - 其高耐压能力使其能够在高压电机驱动电路中可靠工作。 3. 逆变器 - 应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等场景,将直流电转换为交流电。 - 高效的开关性能和低损耗特性有助于提升逆变器的整体效率。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电动车、储能系统或其他需要高压电池管理的场景中,HGTG12N60A4 可作为电池充放电控制的开关元件。 - 提供稳定的开关性能,确保电池的安全和高效运行。 5. 固态继电器 - 该 MOSFET 可用于替代传统机械继电器的固态继电器设计,提供更快的切换速度和更长的使用寿命。 - 适用于工业控制、家电控制等领域。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,HGTG12N60A4 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电动车窗控制器等。 - 其高压特性和可靠性满足汽车环境的严苛要求。 7. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明系统中,该 MOSFET 可用作恒流源的开关元件,实现高效的电流调节。 总结 HGTG12N60A4 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于高压功率转换、电机控制、逆变器、电池管理等领域。其优异的性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 17ns/96ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
描述 | IGBT 600V 54A 167W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 78nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HGTG12N60A4 |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 55µJ (开), 50µJ (关) |
TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,12A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | HGTG12N60A4_NL |
功率-最大值 | 167W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 150 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 54A |
输入类型 | 标准 |