【未分类_HGTP5N120BND】封装/厂家_HGTP5N120BND中文资料_价格

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型号： HGTP5N120BND
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP5N120BND由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP5N120BND价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP5N120BND封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTP5N120BND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP5N120BND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的HGTP5N120BND是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超高压沟槽栅极MOSFET（UGBT，Ultra High Voltage Trench Gate MOSFET）。该器件主要应用于高电压、大功率场景，以下是其典型应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - HGTP5N120BND适用于开关电源中的功率转换电路。其高耐压特性（额定电压1200V）使其能够承受高压输入，并在高频开关条件下提供高效能量转换。
   - 常用于AC-DC或DC-DC转换器，例如适配器、充电器和工业电源。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和家电领域，该MOSFET可用于驱动直流无刷电机（BLDC）或其他类型的电机。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提高效率，同时支持快速开关以实现精确的速度控制。

 3. 逆变器
   - 广泛应用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）和其他电力逆变设备中。
   - 通过高频开关操作，将直流电转换为交流电，满足家用或工业用电需求。

 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）
   - HGTP5N120BND可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及辅助系统中。
   - 高可靠性和耐高压性能使其能够在极端工作条件下稳定运行。

 5. 照明应用
   - 在高亮度LED照明系统中，作为驱动电路的一部分，用于调节电流和电压。
   - 特别适合需要高效率和高可靠性的户外照明或工业照明。

 6. 焊接设备
   - 在焊接机中，MOSFET用作功率开关，控制焊接电流的输出。
   - 其耐高压特性确保了在高负载条件下的稳定运行。

 7. 其他工业应用
   - 包括电磁炉、电子镇流器、高频加热设备等需要高电压和大功率切换的应用场景。

总结来说，HGTP5N120BND凭借其1200V的高耐压能力、低导通电阻和快速开关特性，非常适合于各种高压、高频和大功率的电力电子应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	22ns/160ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	40A
描述	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	53nC
IGBT类型	NPT
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	HGTP5N120BND
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	450µJ （开）， 390µJ （关）
TestCondition	960V, 5A, 25 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.7V @ 15V，5A
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	167W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	65ns
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	400
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）	21A
输入类型	标准