数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4IBC30UDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4IBC30UDPBF价格参考。International RectifierIRG4IBC30UDPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4IBC30UDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4IBC30UDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRG4IBC30UDPBF的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,具体分类为超结功率MOSFET(UGBT,Ultrafast Green Bipolar Transistor)。该器件广泛应用于需要高效能、低损耗和快速开关性能的场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电源转换 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器等应用。其低导通电阻(Rds(on))和高开关速度特性可显著提高电源转换效率,降低能量损耗。 2. 电机驱动 在小型电机控制和驱动电路中,IRG4IBC30UDPBF能够提供高效的开关性能,适用于家用电器(如风扇、吸尘器)和工业设备中的电机控制系统。 3. 太阳能逆变器 作为太阳能光伏发电系统的一部分,该器件可用于逆变器电路中,实现直流电到交流电的高效转换,支持绿色能源的应用。 4. 电池充电管理 在便携式电子设备或电动车电池管理系统中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电流和电压的安全与稳定。 5. LED驱动器 在高亮度LED照明系统中,IRG4IBC30UDPBF可以用于恒流驱动电路,提供稳定的电流输出以保证LED的亮度和寿命。 6. 通信设备 该器件适用于通信基站和其他电信设备中的电源模块,提供高可靠性和高效能表现。 7. 消费类电子产品 包括笔记本电脑适配器、平板充电器等便携式设备的电源管理单元,利用其高效能和紧凑封装的特点。 总结来说,IRG4IBC30UDPBF凭借其卓越的电气特性和可靠性,适合多种电力电子应用场合,尤其在需要高频开关和低功耗的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 40ns/91ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 68A |
描述 | IGBT 600V 17A 45W TO220FPIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 50nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4IBC30UDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4IBC30UDPBF |
SwitchingEnergy | 380µJ (开), 160µJ (关) |
TestCondition | 480V, 12A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,12A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
其它名称 | *IRG4IBC30UDPBF |
功率-最大值 | 45W |
功率耗散 | 45 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 17 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 17A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
集电极最大连续电流Ic | 17 A |