ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD19531Q5AT
Datasheet下载- 型号： CSD19531Q5AT
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19531Q5AT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19531Q5AT价格参考。Texas InstrumentsCSD19531Q5AT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSONP（5x6）。您可以下载CSD19531Q5AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19531Q5AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD19531Q5AT是Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于超结MOSFET系列，采用5mm x 6mm SON 8引脚封装，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件主要适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。 典型应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：在服务器、通信电源及工业电源中，用于降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构，提高转换效率，降低功耗。 2. 负载点电源（POL）：广泛应用于FPGA、ASIC、微处理器等高性能数字芯片的供电系统，满足其低压大电流需求。 3. 热插拔电路与电源管理模块：凭借快速响应和低导通损耗特性，适合用于电源排序与过流保护设计。 4. LED驱动电源：在高亮度LED照明系统中实现高效恒流控制。 5. 电动工具与电池管理系统：适用于电池供电设备中的功率开关，提升能效并延长续航时间。 CSD19531Q5AT具备100V耐压、低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提升系统整体效率。其SON封装具有优良的散热性能，适合紧凑型高功率设计。综合来看，该MOSFET特别适用于追求小型化与高能效的现代电子设备电源部分。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www.ti.com/lit/pdf/slpt033 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD19531Q5AT |
| rohs | 库存产品核实请求 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3870pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-VSON （5x6） |
| 其它名称 | 296-37749-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19531Q5AT |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
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