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  • 型号: FGPF70N30TTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF70N30TTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF70N30TTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF70N30TTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF70N30TTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF70N30TTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(现为安森美半导体)的型号FGPF70N30TTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结沟槽式MOSFET)类别。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):  
   FGPF70N30TTU具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds = 300V),非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。

2. 电机驱动:  
   在工业自动化和家用电器中,该MOSFET可用于驱动中小型电机,提供高效的开关性能和较低的功率损耗。

3. 逆变器:  
   适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等场景,能够实现高效的能量转换和稳定的输出控制。

4. PFC电路(功率因数校正):  
   在需要提高功率因数的设备中,如LED照明驱动器或家电产品,该MOSFET可作为关键元件用于升压PFC电路。

5. 负载开关与保护电路:  
   由于其快速开关特性和良好的热稳定性,可以用于各种负载开关和过流保护电路中。

6. 汽车电子:  
   在车载电子系统中,如电池管理系统(BMS)、电动窗控制、座椅调节等,这款MOSFET能够满足高可靠性和耐高压的需求。

总结来说,FGPF70N30TTU凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,特别适合需要高效功率转换和控制的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 300V 49.2W TO220F

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

125nC

IGBT类型

沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FGPF70N30TTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

-

TestCondition

-

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.5V @ 15V,20A

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

49.2W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

300V

电流-集电极(Ic)(最大值)

-

输入类型

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