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  • 型号: SGW13N60UFDTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGW13N60UFDTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGW13N60UFDTM价格参考。Fairchild SemiconductorSGW13N60UFDTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGW13N60UFDTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGW13N60UFDTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGW13N60UFDTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款功率MOSFET器件,主要应用于高效率电源转换系统。该器件具有高耐压(600V)和低导通电阻的特点,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

其主要应用场景包括:

1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效电源适配器中,提高能效,减小体积。
2. 工业电源:如工业控制设备、伺服驱动器和变频器中的DC-DC转换与电源管理模块。
3. LED照明系统:用于高功率LED驱动电源,实现高效稳定的电流控制。
4. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的开关电源部分,提升整体能效等级。
5. 新能源系统:例如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换模块,支持清洁能源的高效利用。

该器件采用先进的封装技术,具有良好的热性能和可靠性,适合在高频率、高效率的开关应用中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

20ns/70ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

52A

描述

IGBT 600V 13A 60W D2PAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

25nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SGW13N60UFDTM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

85µJ (开), 95µJ (关)

TestCondition

300V, 6.5A, 50 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,6.5A

供应商器件封装

D²PAK

功率-最大值

60W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

55ns

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

13A

输入类型

标准

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