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MMBF4393LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4393LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4393LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF4393LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4393LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4393LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBF4393LT1G是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于低噪声、高输入阻抗器件,常用于小信号放大和模拟开关等应用。该型号采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装。 主要应用场景包括: 1. 低噪声放大电路:由于其优异的噪声特性,MMBF4393LT1G广泛用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,特别适用于微弱信号的放大处理。 2. 高频模拟开关与调制电路:在通信设备中,可用于射频(RF)信号切换或小信号调制解调,发挥JFET高速响应和低失真的优势。 3. 有源滤波器与振荡器:凭借稳定的跨导特性和良好的线性度,适用于精密模拟电路中的有源滤波、函数发生器和定时电路设计。 4. 便携式电子设备:因其低功耗和小型封装,常见于手机、可穿戴设备、医疗监测仪器等对空间和功耗敏感的应用中。 此外,MMBF4393LT1G具有良好的温度稳定性和可靠性,适合工业控制、测量仪器及汽车电子中的模拟信号处理模块。总体而言,该器件适用于需要高输入阻抗、低噪声和高保真信号传输的场合,是模拟电路设计中的优选元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23JFET 30V 10mA |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBF4393LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF4393LT1G |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA to 30 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 500mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF4393LT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 100 欧姆 |
| 系列 | MMBF4393L |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |