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  • 型号: MMBF4393LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBF4393LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4393LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4393LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF4393LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4393LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4393LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的MMBF4393LT1G是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于低噪声、高输入阻抗器件,常用于小信号放大和模拟开关等应用。该型号采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装。

主要应用场景包括:  
1. 低噪声放大电路:由于其优异的噪声特性,MMBF4393LT1G广泛用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,特别适用于微弱信号的放大处理。  
2. 高频模拟开关与调制电路:在通信设备中,可用于射频(RF)信号切换或小信号调制解调,发挥JFET高速响应和低失真的优势。  
3. 有源滤波器与振荡器:凭借稳定的跨导特性和良好的线性度,适用于精密模拟电路中的有源滤波、函数发生器和定时电路设计。  
4. 便携式电子设备:因其低功耗和小型封装,常见于手机、可穿戴设备、医疗监测仪器等对空间和功耗敏感的应用中。  

此外,MMBF4393LT1G具有良好的温度稳定性和可靠性,适合工业控制、测量仪器及汽车电子中的模拟信号处理模块。总体而言,该器件适用于需要高输入阻抗、低噪声和高保真信号传输的场合,是模拟电路设计中的优选元件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 30V 225MW SOT23JFET 30V 10mA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBF4393LT1G-

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产品型号

MMBF4393LT1G

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgs=0时的漏-源电流

5 mA to 30 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

500mV @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

5mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14pF @ 15V

产品目录页面

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产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBF4393LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

30V

漏源电压VDS

30 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

100 欧姆

系列

MMBF4393L

配置

Single

闸/源击穿电压

30 V

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