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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 2N4119A-2 是一款 N 沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于 JFET 具有高输入阻抗和低噪声特性,2N4119A-2 常用于音频和射频信号的前置放大,尤其是在麦克风、传感器信号调理等需要高精度放大的场合。 2. 模拟开关和多路复用器:该器件可用作低失真、低导通电阻的模拟开关,适用于数据采集系统和多路复用电路中。 3. 电压控制电阻:在一些需要电压控制的模拟电路中,如可变增益放大器或滤波器中,2N4119A-2 可作为压控电阻使用。 4. 射频(RF)电路:由于其良好的高频特性,该器件也可用于射频信号处理电路中,如射频混频器或调制解调器。 5. 电源管理电路:在一些低功耗电源管理系统中,2N4119A-2 可用于实现高效率的电压调节和负载切换。 总结来说,2N4119A-2 凭借其低噪声、高输入阻抗和良好的高频性能,广泛应用于音频设备、测试仪器、通信系统及精密测量设备中的模拟信号处理环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N4119A-2 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 2V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 200µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | TO-206AF (TO-72) |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | - |