Datasheet下载- 型号： TF256TH-3-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF256TH-3-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF256TH-3-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF256TH-3-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF256TH-3-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF256TH-3-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的TF256TH-3-TL-H是一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声放大器、模拟开关、信号处理电路等场景。该型号为P沟道JFET，具有低栅极漏电流和高可靠性，适用于对噪声敏感的模拟电路中。 常见应用场景包括： 1. 音频放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，TF256TH常用于前置放大器或高保真音响设备中，提升音质表现。 2. 模拟开关与多路复用器：在需要低失真和高稳定性的模拟信号切换电路中，如测试仪器或工业控制系统。 3. 电压控制电阻：利用JFET的可变电阻特性，在电压控制振荡器（VCO）或滤波电路中实现信号调节。 4. 低噪声前置放大：在传感器信号采集系统中，作为前端放大器以提高信号的信噪比。 该器件采用SOT-23封装，体积小、便于贴装，适合便携设备和高密度电路板设计。适用于工业、消费电子及通信设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TF256TH-3-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 100mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 100µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 供应商器件封装 | VTFP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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