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2SK3738-TL-E产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3738-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3738-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SK3738-TL-E封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 40V 1mA 100mW Surface Mount SMCP。您可以下载2SK3738-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3738-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3738-TL-E是ON Semiconductor生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 音频放大电路:由于JFET具有低噪声和高线性度特性,2SK3738-TL-E广泛应用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中,能有效提升音质表现。 2. 传感器信号调理:在温度、压力、光强等微弱信号检测系统中,该器件可作为高输入阻抗缓冲器或放大器,减少信号源负载,提高测量精度。 3. 模拟开关与可变增益控制:利用JFET的电压控制特性,可用于构建低失真的模拟开关或增益调节电路,适用于通信和测试仪器领域。 4. 射频(RF)前端电路:在低频至中频射频应用中,该JFET可作为低噪声放大器(LNA),适用于无线接收模块中的信号预处理。 5. 便携式电子设备:因其采用小型化封装(如SOT-490),适合空间受限的应用,如智能手机、耳机放大器、可穿戴设备等。 综上,2SK3738-TL-E凭借低噪声、高输入阻抗和稳定性能,主要应用于对信号保真度要求较高的模拟前端电路中,尤其适合音频、传感和便携式设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40VJFET NCH J-FET |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK3738-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3738-TL-E |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | * |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1.7pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | 2SK3738 |