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MMBFJ176产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ176由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ176价格参考¥0.66-¥1.08。Fairchild SemiconductorMMBFJ176封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ176参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ176 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MMBFJ176 是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),采用SOT-23小型封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低噪声、高输入阻抗和良好的开关特性,广泛应用于模拟信号处理和小信号放大场景。 典型应用场景包括:音频放大电路,如前置放大器和麦克风放大器,得益于其低噪声性能,可提升音质表现;模拟开关和多路复用器电路,利用其电压控制特性实现信号通断;传感器信号调理电路,用于放大微弱信号并减少负载影响;以及射频(RF)前端电路,在低功耗无线通信设备中作为高频信号放大元件。 此外,MMBFJ176也常用于便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理或信号切换模块,因其小尺寸和低功耗特性非常适合高密度集成设计。在测试测量仪器中,它还可用作高输入阻抗缓冲器,提高系统精度。 综上,MMBFJ176凭借其优异的模拟性能和紧凑封装,广泛服务于消费电子、通信、工业控制及医疗电子等领域的小信号处理应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET P-Channel Switch |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ176- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBFJ176 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 225 mW |
Pd-功率耗散 | 225 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 Ohms |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 30 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBFJ176CT |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 225 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 250 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 250 欧姆 |
系列 | MMBFJ176 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |
闸/源截止电压 | 4 V |
零件号别名 | MMBFJ176_NL |