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- 型号： TF202THC-3-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF202THC-3-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF202THC-3-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF202THC-3-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF202THC-3-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF202THC-3-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF202THC-3-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。 该器件主要应用于以下场景： 1. 音频放大电路：由于JFET具有低噪声和高线性度特性，TF202THC-3-TL-H常用于前置音频放大器、麦克风前置放大器等对音质要求较高的音频设备中。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为模拟信号路径中的开关元件，适用于信号路由、测试仪器中的多路复用电路。 3. 传感器接口电路：在需要高输入阻抗的传感器信号采集系统中，如温度、压力或生物信号检测，该JFET可用于构建高精度放大电路。 4. 射频（RF）前端电路：在低频至中频的射频接收电路中，该器件可用于低噪声放大，提升接收灵敏度。 5. 便携式电子设备：该器件具有小型封装和低功耗特性，适用于电池供电设备，如手持式测试仪、便携音频设备等。 综上，TF202THC-3-TL-H适用于对噪声、线性度和输入阻抗要求较高的模拟电路设计，广泛用于音频、传感、测试测量等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW VTFP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TF202THC-3-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | 3-VTFP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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