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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR30,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR30,215价格参考。NXP SemiconductorsBFR30,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFR30,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFR30,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFR30,215 并非 JFET(结型场效应晶体管),而是一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),常用于高频放大和开关应用。该器件属于高性能射频晶体管,适用于工作频率较高的场景。 BFR30,215 主要应用于射频(RF)放大器电路,如无线通信设备中的小信号放大,包括移动通信基站、无线电接收机、电视调谐器及数据传输系统等。其高截止频率(fT 可达数 GHz)使其在 VHF 和 UHF 频段表现出色,适合处理高频模拟信号。 此外,该晶体管也常见于低噪声放大器(LNA)设计中,因其具备较低的噪声系数,可有效提升接收系统的灵敏度。在有线电视(CATV)基础设施、卫星通信前端模块以及各类射频识别(RFID)设备中也有广泛应用。 BFR30,215 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,体积小,适合高密度电路板布局,广泛用于便携式通信设备和紧凑型射频模块中。其稳定性和高频性能使其成为工业级和商业级射频设计中的常用选择。 综上,BFR30,215 虽不属于 JFET,但作为高频 NPN 晶体管,在射频放大、低噪声接收和高速开关等场景中具有重要应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 4 pF |
| Ciss-输入电容 | 4 pF |
| 描述 | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23JFET N-CH 25V 10mA |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors BFR30,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFR30,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 4 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 4mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6203-6 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 25 V |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏极电流Id-最大值 | 10 mA |
| 漏极连续电流 | 10 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 输入电容 | 4 pF |
| 配置 | Single |
| 闸/源截止电压 | - 5 V |
| 零件号别名 | BFR30 T/R |