Datasheet下载- 型号： MMBF5457LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5457LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5457LT1价格参考。ON SemiconductorMMBF5457LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBF5457LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF5457LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBF5457LT1是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小型表面贴装器件，广泛应用于低噪声、高输入阻抗和模拟信号处理场合。其典型应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的噪声系数，MMBF5457LT1常用于前置放大电路，特别是在音频放大器、传感器信号调理和微弱信号放大中，能有效提升信噪比。 2. 模拟开关与调制电路：凭借其电压控制特性和快速开关能力，该器件适用于模拟开关、斩波器和信号调制解调电路，常见于测量仪器和通信设备中。 3. 有源滤波器与振荡器：在需要高输入阻抗的有源滤波电路或RC振荡器中，MMBF5457LT1可作为增益元件，提升电路稳定性与频率响应精度。 4. 便携式电子设备：该器件采用SOT-23封装，体积小、功耗低，适合用于手机、笔记本电脑、可穿戴设备等空间受限的便携式产品中的模拟信号处理模块。 5. 工业与汽车电子：在传感器接口、电源管理及信号隔离等工业控制和车载系统中，该JFET可用于信号缓冲与阻抗匹配，提高系统可靠性。 综上，MMBF5457LT1因其低噪声、高输入阻抗和小型化特性，主要应用于对信号保真度要求较高的模拟电路中，尤其适合消费电子、通信、工业控制等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF5457LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF5457LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS200 11／2" BL48"BX.jpg)
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