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Datasheet下载- 型号： MMBFJ110
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ110由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ110价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ110封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 25V 460mW Surface Mount SuperSOT-3。您可以下载MMBFJ110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ110是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的晶体管 - JFET（结型场效应晶体管），其应用场景广泛，主要集中在低噪声、高输入阻抗和线性度要求较高的电路中。以下是该型号的一些具体应用场景： 1. 音频放大器：MMBFJ110具有低噪声特性和高输入阻抗，适用于音频信号的前置放大器。它可以有效地放大微弱的音频信号，同时保持较低的噪声水平，确保音频质量。 2. 射频（RF）电路：在射频应用中，MMBFJ110可以用于低噪声放大器（LNA）的设计。它能够处理高频信号，并且由于其低噪声系数，适合用于接收机前端，提高信号的接收灵敏度。 3. 传感器接口电路：许多传感器输出的信号非常微弱，需要高输入阻抗的放大器来避免对传感器负载的影响。MMBFJ110的高输入阻抗特性使其非常适合用作传感器信号的缓冲放大器或前置放大器。 4. 模拟开关和多路复用器：JFET的特性使得MMBFJ110可以在模拟开关和多路复用器中使用。它可以在导通状态下提供较低的导通电阻，并且在关断状态下具有较高的隔离性能，适用于需要精确控制信号路径的应用。 5. 电压控制振荡器（VCO）：MMBFJ110可以用于设计电压控制振荡器，特别是在需要高频率稳定性和低相位噪声的应用中。JFET的线性度和低噪声特性有助于实现高质量的振荡信号。 6. 电源管理电路：虽然JFET不如MOSFET常用在大功率应用中，但在一些低功耗、小电流的电源管理电路中，MMBFJ110可以作为开关元件使用，尤其是在需要快速响应和低静态功耗的情况下。 7. 精密测量仪器：在精密测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，MMBFJ110可以用于前端放大器，以确保信号的准确性和稳定性。 总之，MMBFJ110凭借其低噪声、高输入阻抗和良好的线性度，在各种模拟电路和射频应用中表现出色，特别适合需要高精度和低噪声的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 460MW 3-SSOTMOSFET N-CH FET/SSOT-23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ110 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 460 mW |
| Pd-功率耗散 | 460 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 其它名称 | MMBFJ110CT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | 18 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ110 |
| 配置 | Single |
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