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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PN4391_D75Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PN4391_D75Z价格参考。Fairchild SemiconductorPN4391_D75Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PN4391_D75Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PN4391_D75Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的PN4391_D75Z是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,广泛应用于模拟电路中。其主要应用场景包括低噪声放大器、前置放大电路、音频放大器和高输入阻抗缓冲器等。由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,PN4391_D75Z特别适合用于微弱信号的放大处理,如在医疗设备、传感器信号调理和音频设备中作为输入级放大元件。此外,该器件也常用于射频(RF)电路中的小信号开关或增益控制单元。其稳定的电气性能和可靠的封装(通常为SOT-23)使其适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。PN4391_D75Z还可在有源滤波器、振荡器和电压控制电阻等电路中发挥良好作用。总体而言,该型号凭借其优良的线性特性和温度稳定性,在需要高精度模拟信号处理的消费电子、工业控制和通信设备中具有广泛用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 625MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PN4391_D75Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 30 欧姆 |