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Datasheet下载- 型号： 2SK3320-Y(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3320-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3320-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3320-Y(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3320-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3320-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 2SK3320-Y(TE85L,F) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 JFET（结型场效应晶体管），主要适用于需要低噪声、高输入阻抗和良好高频特性的模拟电路中。该器件常用于以下应用场景： 1. 音频放大器：作为前置放大器或麦克风放大器，利用其低噪声特性提升音质。 2. 高频放大电路：适用于射频（RF）信号放大，如通信设备中的前端信号处理。 3. 模拟开关与可变电阻电路：JFET的电压控制特性使其适用于模拟信号的切换和调节。 4. 测试与测量仪器：用于高精度信号采集系统，因其高输入阻抗对被测电路影响小。 5. 传感器接口电路：在温度、压力等传感器信号放大中，提升信号质量和稳定性。 该JFET具有良好的稳定性和可靠性，适合在工业、通信及消费类电子设备中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET DUAL N-CH USV |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3320 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3320-Y(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | USV |
| 其它名称 | 2SK3320-Y(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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