Datasheet下载- 型号： 2SK3666-3-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3666-3-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3666-3-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK3666-3-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3666-3-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3666-3-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3666-3-TB-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET器件。该型号主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和稳定电流特性的模拟电路中。 典型应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的噪声系数，2SK3666-3-TB-E常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中，特别适用于微弱信号的放大处理。 2. 模拟开关与调制电路：其电压控制特性适合用于模拟开关、斩波器或信号调制解调电路，实现对模拟信号的通断或调节。 3. 恒流源设计：该器件可构建稳定的电流源，广泛应用于测试设备、电源管理和偏置电路中。 4. 高频小信号处理：在射频（RF）前端或中频放大电路中，可用于小信号放大，满足一定频率范围内的信号处理需求。 此外，2SK3666-3-TB-E采用小型化封装（如SOT-323），适合空间受限的便携式电子设备，如医疗仪器、测量仪表、通信模块和消费类电子产品。其可靠的性能和稳定的参数使其在工业控制和精密电子系统中也具备广泛应用价值。总体而言，该器件适用于注重信号完整性与低功耗表现的模拟应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3666-3-TB-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 180mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 其它名称 | 869-1107-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | 200 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
2SK3666-3-TB-E 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商