【未分类_BSR58LT1G】封装/厂家_BSR58LT1G中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： BSR58LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSR58LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR58LT1G价格参考。ON SemiconductorBSR58LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSR58LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR58LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）的BSR58LT1G是一款N沟道JFET（结型场效应晶体管）。以下是该型号的一些典型应用场景：

1. 模拟信号处理：  
   BSR58LT1G因其低噪声特性和线性性能，适用于音频设备、放大器和滤波器等模拟信号处理电路。它能够提供高保真的信号传输和处理。

2. 开关应用：  
   作为JFET，BSR58LT1G具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合用于低功耗开关电路，例如传感器接口、数据采集系统中的多路复用器或信号切换。

3. 电源管理：  
   在小型电源管理系统中，BSR58LT1G可用于电流限制、电压调节或负载开关等功能，帮助实现高效且稳定的电源分配。

4. 射频（RF）电路：  
   JFET在射频领域有广泛应用，BSR58LT1G可以用于低噪声放大器（LNA）、混频器或其他高频信号处理模块，支持无线通信、雷达和卫星接收等场景。

5. 保护电路：  
   由于其出色的反向偏置能力，BSR58LT1G可应用于过流保护、短路保护或ESD防护电路，确保下游电子元件的安全运行。

6. 可变增益控制：  
   在自动增益控制系统（AGC）中，JFET常被用作可变电阻元件，通过调整栅极电压来改变信号增益，广泛应用于通信设备和音频设备。

7. 传感器接口：  
   高输入阻抗是JFET的重要特点之一，因此BSR58LT1G非常适合与高阻抗传感器（如光电二极管或压电传感器）配对，以最大限度地减少信号失真。

总结来说，BSR58LT1G凭借其优良的电气特性和稳定性，适用于多种消费电子、工业控制、通信以及音频设备等领域，特别是在需要低噪声、高线性度和高输入阻抗的场合表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	JFET N-CH 40V 350MW SOT23
产品分类	JFET（结点场效应
FET类型	N 沟道
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BSR58LT1G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的电压-截止（VGS关）	800mV @ 1µA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	8mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	350mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
漏极电流(Id)-最大值	-
漏源极电压(Vdss)	-
电压-击穿(V(BR)GSS)	40V
电阻-RDS（开）	60 欧姆