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产品简介:
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2N5460_D75Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,2N5460_D75Z广泛应用于音频和射频信号的前置放大,如麦克风前置放大器、仪表放大器等。 2. 模拟开关与多路复用器:该器件可用于低失真、高速模拟信号切换,适合在测试设备、数据采集系统中作为模拟开关使用。 3. 电压控制电阻应用:JFET可在可变电阻模式下工作,适用于电压控制衰减器或自动增益控制电路(AGC)。 4. 射频(RF)电路:在低频至超高频范围内,该器件可用于射频信号处理电路,如混频器、调制解调器等。 5. 传感器接口电路:凭借高输入阻抗,适合用于高精度传感器信号的采集与调理电路中,如温度、压力传感器等。 总结来说,2N5460_D75Z适用于对噪声敏感、需要高输入阻抗和线性度的模拟电路设计,常见于通信、音频处理、工业测量等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5460_D75Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 750mV @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |