Datasheet下载- 型号： PMBFJ111,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ111,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ111,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ111,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMBFJ111,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBFJ111,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBFJ111 和 PMBFJ215 是 NXP（恩智浦）生产的 JFET（结型场效应晶体管）型号，属于低噪声、高增益的 N 沟道 JFET。以下是它们的主要应用场景： 1. 音频信号放大 - 这些 JFET 器件具有低噪声特性和高增益，非常适合用于音频设备中的前置放大器电路。例如，在麦克风放大器或高保真音响系统中，可以用来放大微弱的音频信号，同时保持较低的失真和噪声。 2. 射频（RF）应用 - PMBFJ111 和 PMBFJ215 的高频特性使其适用于射频电路，如无线通信设备、收音机前端等。它们可用于 RF 信号的低噪声放大，确保信号在传输过程中不失真。 3. 模拟开关 - 由于 JFET 具有良好的线性特性和低导通电阻，这些器件可以用于构建模拟开关电路。例如，在多路复用器或多通道信号选择器中，可以用作信号路径的选择元件。 4. 传感器信号调理 - 在传感器信号处理中，这些 JFET 可以用作信号放大器或缓冲器。例如，在压力传感器、温度传感器或其他微弱信号输出的传感器中，能够有效放大信号并减少噪声干扰。 5. 振荡器和混频器 - PMBFJ111 和 PMBFJ215 的高频性能使其适合用于振荡器和混频器电路。例如，在无线电设备中，可以用来生成稳定的高频信号或进行频率转换。 6. 低功耗电路设计 - 这些 JFET 器件的工作电流较低，非常适合低功耗应用，如电池供电的便携式设备。例如，在手持式测量仪器或无线遥控器中，可以实现高效能的信号处理。 总结 PMBFJ111 和 PMBFJ215 主要应用于需要低噪声、高增益和高频性能的场景，包括音频放大、射频电路、模拟开关、传感器信号调理、振荡器以及低功耗设计等领域。它们凭借优异的电气特性，成为许多电子设备中不可或缺的核心元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 40V 300MW SOT23JFET JFET N-CH 40V 35mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,NXP Semiconductors PMBFJ111,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ111,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 10V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6pF @ 10V（VGS） |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6480-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 零件号别名 | PMBFJ111 T/R |
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