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产品简介:
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2N4117A-2 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 JFET(结型场效应晶体管)。该型号属于 N 沟道增强型晶体管,广泛应用于模拟和射频电路中。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大:2N4117A-2 适合用于低噪声、高增益的信号放大电路。由于其具有较高的输入阻抗,非常适合音频和射频信号的放大。 2. 开关应用:该晶体管可以用作模拟开关,在需要低导通电阻和快速开关速度的应用中表现良好,例如多路复用器或数据选择器。 3. 混频器和振荡器:在射频电路中,2N4117A-2 可用于构建混频器和振荡器,利用其高频特性和稳定的性能来处理高频信号。 4. 缓冲器和隔离器:由于其高输入阻抗特性,2N4117A-2 常被用作缓冲器或隔离器,以保护敏感电路免受负载影响。 5. 可变增益放大器:通过调整栅极电压,可以改变晶体管的跨导,从而实现可变增益放大功能,适用于自动增益控制 (AGC) 系统。 6. 滤波器设计:在有源滤波器中,JFET 的线性特性和稳定性使其成为理想选择,能够提供精确的频率响应。 总的来说,2N4117A-2 凭借其优良的电气特性和可靠性,适用于各种需要高性能、低噪声和高输入阻抗的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N4117A-2 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 600mV @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 30µA @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
供应商器件封装 | TO-206AF (TO-72) |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 |
标准包装 | 20 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |