Datasheet下载- 型号： 2SK932-22-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK932-22-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK932-22-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK932-22-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK932-22-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK932-22-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SK932-22-TB-E是一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET器件。该型号常用于小信号放大和模拟开关等应用，具有低噪声、高输入阻抗和良好的热稳定性等特点。 其典型应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于JFET具有低噪声和高线性度特性，2SK932-22-TB-E广泛应用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音响设备中，有助于提升音质表现。 2. 模拟开关与多路复用器：凭借其电压控制特性和快速响应能力，适用于需要低导通电阻和高隔离度的模拟信号切换电路。 3. 传感器信号调理：在精密测量系统中，如温度、压力或光传感器的前端电路中，该器件可有效放大微弱信号，减少信号失真。 4. 射频（RF）电路：可用于低功率射频放大或阻抗匹配电路，适合高频小信号处理场景。 5. 电源管理与恒流源设计：作为有源负载或电流源元件，用于构建稳定的偏置电路。 2SK932-22-TB-E采用小型表面贴装封装（如SOT-323），适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、可穿戴设备和便携医疗仪器。其可靠的性能和紧凑的设计使其在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 50MA 200MW CPJFET NCH J-FET |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 mA |
| Id-连续漏极电流 | 50 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK932-22-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK932-22-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 100µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7.3mA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | CP-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 50mA |
| 漏极电流Id-最大值 | 50 mA |
| 漏极连续电流 | 50 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 15V |
| 漏源电压VDS | 15 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | 2SK932 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 15 V |
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