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  • 型号: MMBFJ271
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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MMBFJ271产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ271由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ271价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ271封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ271参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ271 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBFJ271是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道硅JFET(结型场效应晶体管)。该型号的晶体管具有低噪声、高输入阻抗和线性度好的特点,因此适用于多种电子电路场景。以下是其主要应用场景:

1. 音频放大器:由于MMBFJ271的低噪声特性和高输入阻抗,它非常适合用于音频前置放大器中,特别是在需要高保真度的音频设备中,如麦克风放大器或乐器效果器。

2. 射频(RF)电路:该晶体管可用于射频应用,例如混频器、振荡器和调制解调器等,因其能够提供稳定的增益和较低的信号失真。

3. 开关电路:在需要低漏电流和快速开关速度的应用中,MMBFJ271可以作为模拟开关或采样保持电路中的关键元件。

4. 传感器接口:由于其高输入阻抗特性,该晶体管非常适合用作传感器信号调理电路的一部分,例如光电二极管或热电偶的接口电路。

5. 可变增益放大器:通过调整栅极电压,可以改变JFET的导通电阻,从而实现对信号增益的动态控制,这在通信系统和测试测量设备中有广泛应用。

6. 电源管理:虽然不是主要用途,但在某些低功耗应用中,MMBFJ271可以用作简单的电流源或限流保护元件。

总之,MMBFJ271是一款通用型N沟道JFET,适合需要高输入阻抗、低噪声和良好线性度的各种模拟电路设计。在选择具体应用时,应根据实际电路需求考虑其电气参数是否匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET P-Channel Switch

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

P 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ271-

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产品型号

MMBFJ271

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

225 mW

Pd-功率耗散

225 mW

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgs=0时的漏-源电流

- 6 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

1.5V @ 1nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

6mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBFJ271DKR

功率-最大值

225mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

60 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最大漏极/栅极电压

- 30 V

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

-

系列

MMBFJ271

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