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MMBFJ271产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ271由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ271价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ271封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ271参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ271 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ271是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道硅JFET(结型场效应晶体管)。该型号的晶体管具有低噪声、高输入阻抗和线性度好的特点,因此适用于多种电子电路场景。以下是其主要应用场景: 1. 音频放大器:由于MMBFJ271的低噪声特性和高输入阻抗,它非常适合用于音频前置放大器中,特别是在需要高保真度的音频设备中,如麦克风放大器或乐器效果器。 2. 射频(RF)电路:该晶体管可用于射频应用,例如混频器、振荡器和调制解调器等,因其能够提供稳定的增益和较低的信号失真。 3. 开关电路:在需要低漏电流和快速开关速度的应用中,MMBFJ271可以作为模拟开关或采样保持电路中的关键元件。 4. 传感器接口:由于其高输入阻抗特性,该晶体管非常适合用作传感器信号调理电路的一部分,例如光电二极管或热电偶的接口电路。 5. 可变增益放大器:通过调整栅极电压,可以改变JFET的导通电阻,从而实现对信号增益的动态控制,这在通信系统和测试测量设备中有广泛应用。 6. 电源管理:虽然不是主要用途,但在某些低功耗应用中,MMBFJ271可以用作简单的电流源或限流保护元件。 总之,MMBFJ271是一款通用型N沟道JFET,适合需要高输入阻抗、低噪声和良好线性度的各种模拟电路设计。在选择具体应用时,应根据实际电路需求考虑其电气参数是否匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET P-Channel Switch |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ271- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBFJ271 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 225 mW |
Pd-功率耗散 | 225 mW |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | - 6 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1.5V @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 6mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBFJ271DKR |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最大漏极/栅极电压 | - 30 V |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | MMBFJ271 |