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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3820_D26Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3820_D26Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N3820_D26Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N3820_D26Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N3820_D26Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2N3820_D26Z是一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道JFET,广泛应用于模拟电路中。其典型应用场景包括低噪声放大器、前置放大器和高频信号处理电路。由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,2N3820_D26Z常用于音频设备中的小信号放大,如麦克风前置放大器或吉他效果器,以提升音质并减少信号失真。 此外,该器件也适用于射频(RF)电路中的混频器、振荡器和调制解调模块,因其良好的跨导性能和频率响应能力,可在中高频段稳定工作。在测量仪器和传感器接口电路中,2N3820_D26Z凭借其线性度好、温度稳定性高等优点,可用于精确信号调理与放大。 该型号为表面贴装器件(SOT-23封装),适合空间受限的便携式电子设备,如通信模块、手持测试仪和消费类电子产品。同时,其可靠的性能也使其在工业控制、电源管理及模拟开关电路中得到应用。总体而言,2N3820_D26Z是一款适用于中小信号处理的通用型JFET,特别适合对噪声和输入阻抗有较高要求的模拟前端设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 20V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N3820_D26Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 8V @ 10µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 300µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 32pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 20V |
| 电阻-RDS(开) | - |