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Datasheet下载- 型号： 2N5458_D27Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5458_D27Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5458_D27Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5458_D27Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5458_D27Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5458_D27Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5458_D27Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N5458_D27Z 常用于音频或传感器信号的前置放大电路，尤其适用于麦克风、吉他拾音器等微弱信号的放大。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可用作电压控制的模拟开关，适用于需要低失真和高频响应的模拟信号切换场合。 3. 振荡器与滤波器电路：在射频（RF）或音频范围内，该JFET可用于构建振荡器、有源滤波器等电路，提供良好的频率稳定性和线性度。 4. 电压控制电阻应用：JFET可在可变电阻模式下工作，用于电控衰减器或增益调节电路中。 5. 电源管理电路：在一些低功耗系统中，2N5458_D27Z 可用于实现负载开关或电流限制功能。 总结来说，这款JFET因其优良的电气性能和稳定性，广泛应用于音频设备、测试仪器、通信模块及工业控制系统中的模拟信号处理环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 625MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5458_D27Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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