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- 型号： BFR31LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR31LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR31LT1价格参考。ON SemiconductorBFR31LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFR31LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR31LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR31LT1是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于高频、低噪声的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 高频放大电路：BFR31LT1具有较高的截止频率（fT可达5GHz以上），适合用于射频（RF）和高频信号放大，如无线通信设备中的前置放大器、高频振荡器等。 2. 低噪声放大器（LNA）：由于JFET输入阻抗高、噪声系数低，BFR31LT1常用于对信号保真度要求高的场合，如接收机前端、音频前置放大器和传感器信号调理电路。 3. 模拟开关与调制电路：凭借其良好的线性特性和快速开关能力，该器件可用于模拟信号切换、电压控制电阻及调制解调电路中。 4. 测试与测量设备：在示波器、频谱分析仪等精密仪器中，BFR31LT1可用于高精度信号处理单元，提升系统稳定性与响应速度。 5. 消费类电子产品：应用于电视调谐器、FM收音模块、无线麦克风等需要高频处理的小型化电子设备中。 BFR31LT1采用SOT-23小型封装，便于在紧凑电路板上布局，适合高密度贴装。其稳定的电气性能和可靠的温度适应性，使其在工业、通信和个人电子设备中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFR31LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 2.5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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