Datasheet下载- 型号： J111RL1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供J111RL1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 J111RL1G价格参考。ON SemiconductorJ111RL1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载J111RL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有J111RL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
J111RL1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于各类模拟电路中。该器件具有低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性，适用于对信号完整性要求较高的场合。 其典型应用场景包括： 1. 音频放大电路：J111RL1G 常用于前置放大器、麦克风前置放大器等音频信号处理电路，因其低噪声特性，有助于提升音质。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为电压控制开关使用，适用于需要低失真和高稳定性的模拟信号切换系统。 3. 传感器接口电路：由于JFET的高输入阻抗特性，J111RL1G适合用于连接高阻抗传感器，如某些类型的温度、压力或光传感器，以减少对传感器信号的影响。 4. 射频（RF）与通信电路：在低频至中频段的射频电路中，J111RL1G可用于信号放大或混频器前端，提供良好的线性度和频率响应。 5. 精密测量设备：如示波器、信号发生器等测试仪器中，用于构建高精度模拟前端电路。 该器件采用SOT-23封装，便于贴片安装，适合在空间受限的便携式设备中使用。总体而言，J111RL1G是一款适用于多种通用模拟电路设计的高性能JFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 35V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | J111RL1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 20mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 35V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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