Datasheet下载- 型号： 2N5461RLRAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5461RLRAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5461RLRAG价格参考。ON Semiconductor2N5461RLRAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5461RLRAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5461RLRAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5461RLRAG是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：该器件具有较低的噪声系数，适合用于音频放大器、传感器信号放大器等对噪声敏感的前置放大电路。 2. 模拟开关和多路复用器：由于JFET具有良好的开关特性和低导通电阻，2N5461可用于模拟信号的切换和路由控制。 3. 电压控制电阻：JFET可在可变电阻模式下工作，用于音量控制、增益调节等需要电压控制阻抗的电路。 4. 射频（RF）和高频电路：该器件具有良好的高频响应，适用于射频信号处理、调制解调电路等。 5. 电源管理电路：在某些低功耗设计中，2N5461可用于电源开关或电流限制保护电路。 综上，2N5461RLRAG因其低噪声、高输入阻抗和良好的模拟性能，广泛应用于音频设备、测量仪器、通信系统及各类模拟电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5461RLRAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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