Datasheet下载- 型号： BFR30LT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFR30LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFR30LT1价格参考。ON SemiconductorBFR30LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFR30LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFR30LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFR30LT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 JFET（结型场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 JFET，其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：BFR30LT1 具有较低的噪声特性，适合用于音频、射频 (RF) 和其他低噪声放大应用中。其高增益和低噪声性能使其成为精密信号放大的理想选择。 2. 模拟开关：由于 JFET 的固有特性（如低导通电阻和高阻断电阻），BFR30LT1 可用作模拟开关，适用于多路复用器、信号路由和其他需要低失真和快速切换的应用。 3. 混频器和调制器：在射频和无线通信领域，BFR30LT1 可用于构建混频器或调制器电路，利用其非线性传输特性实现频率转换或信号调制功能。 4. 可变增益控制：JFET 的栅极-源极电压可以调节漏极电流，从而实现对信号增益的动态控制。这种特性使 BFR30LT1 适用于 AGC（自动增益控制）电路。 5. 小信号处理：BFR30LT1 的小型化封装和优异的小信号处理能力使其适合便携式设备、传感器接口以及其他需要高效小信号管理的应用。 6. 电源管理中的偏置控制：在一些功率放大器或电源管理系统中，JFET 能够提供精确的偏置电流控制，以优化整体效率和稳定性。 7. 音频设备：因其良好的线性和低失真特性，BFR30LT1 常被用于高品质音频前置放大器和相关电路设计中。 总结来说，BFR30LT1 主要应用于需要低噪声、高线性度和精确控制的电子系统中，尤其是在通信、音频处理及信号调理等领域发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFR30LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 5V @ 0.5nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 4mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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