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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB035N10A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB035N10A价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFDB035N10A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 333W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB035N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB035N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDB035N10A是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于需要高效、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。 该器件的主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于服务器、通信设备和工业电源中的降压(Buck)、升压(Boost)等拓扑结构,因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动电路:在电动工具、风扇、泵类等中小功率电机控制中,作为开关元件实现精确的启停与调速控制。 3. 电源管理模块:用于笔记本电脑、显示器、家电等设备的电源开关和负载切换,具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 电池供电系统:如便携式设备和UPS(不间断电源)中,用于电池充放电管理和保护电路。 5. 照明驱动:在LED驱动电源中作为主控开关,支持高频工作,有助于减小外围元件体积。 FDB035N10A具有100V耐压、35A大电流能力及极低的栅极电荷,适合高频开关应用,同时封装形式利于散热,提升系统整体稳定性。凭借安森美在功率器件领域的技术优势,该型号在能效与可靠性要求较高的工业、消费电子和通信领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 214 A |
| Id-连续漏极电流 | 214 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB035N10APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB035N10A |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 333 W |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| Qg-GateCharge | 89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 54 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 116nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | FDB035N10ADKR |
| 功率-最大值 | 333W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 167 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | FDB035N10A |