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产品简介:
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BF246A_J35Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,BF246A_J35Z广泛用于音频放大器、测量仪器和传感器的前置放大电路中,以提高信号采集的精度和稳定性。 2. 模拟开关和多路复用器:该器件可用于低失真模拟开关电路,适用于需要高保真信号切换的音频和测试设备中。 3. 电压控制电阻:在某些模拟电路中,JFET可作为电压控制的可变电阻使用,BF246A_J35Z适合用于需要线性调节的应用,如自动增益控制(AGC)电路。 4. 高频信号处理:该JFET具有较好的高频响应特性,适用于射频(RF)前端电路、混频器、调制解调器等高频信号处理模块。 5. 工业控制与传感器接口:在工业自动化系统中,BF246A_J35Z可用于传感器信号调理电路,实现微弱信号的放大和处理。 该器件采用SOT-23封装,体积小、便于集成,适用于便携设备和高密度电路设计。总体而言,BF246A_J35Z适用于对噪声和输入阻抗有较高要求的通用模拟电路应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 30V 350MW TO92 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BF246A_J35Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 600mV @ 100nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 30mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
标准包装 | 2,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | - |