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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PN4391_D27Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PN4391_D27Z价格参考。Fairchild SemiconductorPN4391_D27Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PN4391_D27Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PN4391_D27Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的PN4391_D27Z是一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道JFET器件。该型号广泛应用于模拟信号处理和高频电路中,适用于需要高输入阻抗、低噪声和良好线性特性的场景。 典型应用场景包括:音频放大器前端电路,因其低噪声特性可提升音质表现;小信号放大电路,用于传感器信号调理或精密测量设备中,确保信号不失真;射频(RF)电路中的低噪声放大器(LNA),适用于通信系统中的射频接收前端;此外,还可用于有源滤波器、振荡器和恒流源设计等模拟电路中。 PN4391_D27Z采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式电子设备,如无线通信模块、消费类电子产品和工业控制设备。其稳定的电气性能和可靠的制造工艺,使其在工业、汽车电子及通信领域均有良好适用性。 总之,PN4391_D27Z是一款适用于低功率、高精度模拟应用的通用型N沟道JFET,特别适合对噪声和信号保真度要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 625MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PN4391_D27Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 30 欧姆 |