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Datasheet下载- 型号： MMBFJ305
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MMBFJ305产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ305由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ305价格参考￥0.77-￥0.77。Fairchild SemiconductorMMBFJ305封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N 沟道 30V 225mW 表面贴装 SOT-23。您可以下载MMBFJ305参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ305 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ305是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小型表面贴装器件，广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的噪声系数，MMBFJ305常用于前置放大器、音频放大器及传感器信号调理电路中，适合处理微弱信号。 2. 射频（RF）电路：在无线通信设备中，该器件可用于射频放大、混频和调制解调电路，适用于高频小信号处理。 3. 模拟开关与可变增益控制：利用其电压控制特性，可作为模拟开关或增益调节元件，用于自动增益控制（AGC）系统。 4. 振荡器与缓冲器：在函数发生器、时钟缓冲等电路中，MMBFJ305能提供良好的输入阻抗匹配和信号隔离性能。 5. 便携式电子设备：因其采用SOT-23封装，体积小、功耗低，适用于手机、耳机放大器、便携式测量仪器等空间受限的电子产品。 综上，MMBFJ305凭借其高输入阻抗、低噪声和稳定的工作特性，在通信、音频、工业控制和消费类电子领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 30V SOT23射频JFET晶体管 TO-236AB JFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Fairchild Semiconductor MMBFJ305- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ305 |
| PCN封装 | |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | MMBFJ305CT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 类型 | Silicon |
| 系列 | MMBFJ305 |
