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产品简介:
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2SK2394-6-TB-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道JFET(结型场效应晶体管),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 音频放大电路:由于JFET具有低噪声和高线性度的特点,2SK2394-6-TB-E常用于前置音频放大器、麦克风放大器等对音质要求较高的音频设备中。 2. 测量仪器:在高精度测量设备如示波器、信号发生器和测试仪表中,该器件可用于输入级放大,提供高输入阻抗和低噪声性能,确保信号的准确采集。 3. 传感器接口电路:适用于压力、温度、光强等传感器的信号调理电路,作为高阻抗信号源的缓冲器或放大器,提升系统灵敏度和稳定性。 4. 射频(RF)前端电路:在低频至中频范围内的射频接收电路中,可用于低噪声放大(LNA),提升接收灵敏度。 5. 工业控制与模拟开关:在需要低失真和高稳定性的工业控制系统中,也可作为模拟信号处理元件使用。 综上,2SK2394-6-TB-E因其低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性,广泛应用于音频、测量、传感和射频等对性能要求较高的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 50MA 200MW CP |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SK2394-6-TB-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 300mV @ 100µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 5V |
供应商器件封装 | 3-CP |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | 50mA |
漏源极电压(Vdss) | 15V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
电阻-RDS(开) | - |