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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBF4391,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBF4391,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBF4391,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBF4391,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBF4391,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBF4391,215 是 NXP USA Inc. 生产的一款 N 沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于 JFET 具有高输入阻抗和低噪声特性,PMBF4391 常用于音频放大器、测量仪器和传感器接口中的前置放大电路,以提高信号采集的精度和稳定性。 2. 模拟开关和多路复用器:该器件可用于低失真模拟开关电路,适用于需要高速切换模拟信号的系统,如测试设备和自动化控制系统。 3. 电压控制电阻应用:JFET 可作为电压控制的可变电阻使用,在自动增益控制(AGC)电路和电平调节电路中有广泛应用。 4. 射频(RF)与通信电路:该型号具备较好的高频特性,适合用于射频前端电路、混频器、调制解调器等通信相关应用。 5. 工业与汽车电子系统:基于其稳定性和可靠性,PMBF4391 也适用于工业控制和汽车电子中的信号调理与接口电路。 综上,PMBF4391,215 主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟电路设计中,广泛见于通信、音频处理、测试测量及工业控制等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 40V 250MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 150 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBF4391,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBF4391,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 250 mW |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 30 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 50 mA to 150 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 4V @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-6478-1 |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 250 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 30 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | JFET |
最大工作温度 | + 150 C |
最大漏极/栅极电压 | 40 V |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
漏源电压VDS | 40 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | 30 欧姆 |
类型 | Silicon |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 40 V |
闸/源截止电压 | 10 V |
零件号别名 | PMBF4391 T/R |